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2N7002BKV,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 340 mA, 1 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.070 | CNY20.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.070 (CNY4.5991) |
| 50+ | CNY2.500 (CNY2.825) |
| 250+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 1000+ | CNY1.040 (CNY1.1752) |
| 2000+ | CNY0.931 (CNY1.052) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号2N7002BKV,115
库存编号
复卷1859844RL
切割卷带1859844
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道340mA
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道1ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-666
针脚数6引脚
耗散功率N沟道525mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The 2N7002BKV is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
340mA
漏源通态电阻N沟道
1ohm
晶体管封装类型
SOT-666
耗散功率N沟道
525mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907