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| 10+ | CNY0.662 (CNY0.7481) |
| 100+ | CNY0.501 (CNY0.5661) |
| 500+ | CNY0.365 (CNY0.4124) |
| 1000+ | CNY0.315 (CNY0.356) |
| 5000+ | CNY0.225 (CNY0.2542) |
包装规格:每个
最低: 5
多件: 5
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品項附註
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技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
115A
漏源通态电阻N沟道
7.5ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.006
