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2N7002DW-7-F
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.600 | CNY18.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.600 (CNY4.068) |
| 10+ | CNY2.230 (CNY2.5199) |
| 100+ | CNY1.460 (CNY1.6498) |
| 500+ | CNY1.100 (CNY1.243) |
| 1000+ | CNY0.960 (CNY1.0848) |
| 5000+ | CNY0.820 (CNY0.9266) |
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产品信息
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库存编号
复卷4245110RL
切割卷带4245110
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道115mA
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道13.5ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道200mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
115mA
漏源通态电阻N沟道
13.5ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
2N7002DW-7-F 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：否
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:否
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000088