EVQ1925-R-00A

EVQ1925-R-00A 是一款 100V、4A、高频半桥栅极驱动器评估板。它旨在演示高频半桥栅极驱动器 MPQ1925HR 的性能。在 12V VDD 条件下，MPQ1925HR 的源极电流为 3A，漏极电流为 4.5A。 静态电流（IQ）低于 150μA。MPQ1925HR 集成的自举（BST）二极管减少了外部元器件数量。该器件的低侧 MOSFET（LS-FET）和高侧 MOSFET（HS-FET）驱动通道可独立控制，且时间延迟匹配度小于 5ns。 当供电不足时，器件的 HS-FET 和 LS-FET 欠压锁定 (UVLO) 保护功能会强制将输出拉低。该器件专为电机驱动器及其他电源控制应用而设计，例如电信半桥电源、航空电子直流/直流转换器、双开关正向转换器以及有源钳位正向转换器。

• 可驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
• 片上自举（BST）二极管
• 115V BST电压（VBST）范围和<lt/>150μA静态电流（IQ）
• 典型传播延迟为 20 ns
• <lt/>栅极驱动器匹配时间为5ns
• 在 12V VDD 条件下，驱动 2.2nF 负载时上升时间为 15ns，下降时间为 10ns
• 兼容晶体管-晶体管逻辑（TTL）的输入
• 8V 至 15V 驱动电源电压 (VDD) 范围
• 高侧MOSFET（HS-FET）和低侧MOSFET（LS-FET）欠压锁定（UVLO）保护
• 提供 QFN-8（4mm×4mm）封装

注释

以"-P "和"-Z "结尾的MPS零件编号是相同的零件。P & Z只表示卷轴尺寸。