MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1

RAM存储模块, 16 GB, 1.6 GHz, PC4-3200, 288针 DDR4 SDRAM RDIMM, 服务器RDIMM, 2G x 72位

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MICRON MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1 RAM存储模块, 16 GB, 1.6 GHz, PC4-3200, 288针 DDR4 SDRAM RDIMM, 服务器RDIMM, 2G x 72位
MICRON MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1
MICRON MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1
制造商MICRON
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产品信息

  • 制造商MICRON
    制造商产品编号MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1复制
    库存编号3861316
    技术数据表
    存储密度16GB
    内存速度1.6GHz
    模块内存PC4-3200
    模块外形尺寸288针 DDR4 SDRAM RDIMM
    存储器应用服务器RDIMM
    记忆配置2G x 72位
    电源电压最小值1.14V
    电源电压最大值1.26V
    额定电源电压1.2V
    工作温度最小值0°C
    工作温度最高值95°C
    产品范围-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)

产品概述

  • MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1 是一款容量为 16GB 的 DDR4 SDRAM 内存模块。它专为服务器和高性能计算环境设计,可提供可靠、高效的内存性能。

    • 2 千兆 × 72 配置,25.6GB/s模块带宽
    • 0.625ns/3200 MT/s 内存时钟/数据速率和 22-22-22 个时钟周期 (CL-nRCD-nRP)
    • 支持 ECC 错误检测和纠正、低功耗自动自我刷新 (LPASR)
    • 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终止 (ODT)
    • 用于数据总线和芯片上 VREFDQ 生成和校准的数据总线反转 (DBI)
    • 板载 I2C 温度传感器,集成串行存在检测 (SPD) EEPROM
    • 16 个内部存储组;4 组,每组 4 个存储组,可即时选择 BC4 或 BL8 (OTF)
    • 通过模式寄存器组 (MRS) 固定 4 个突发斩波 (BC) 和 8 个突发长度 (BL)
    • 金边触点和飞越拓扑
    • 端接控制、命令和地址总线

技术规格

  • 存储密度

    16GB

    模块内存

    PC4-3200

    存储器应用

    服务器RDIMM

    电源电压最小值

    1.14V

    额定电源电压

    1.2V

    工作温度最高值

    95°C

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (17-Dec-2015)

    内存速度

    1.6GHz

    模块外形尺寸

    288针 DDR4 SDRAM RDIMM

    记忆配置

    2G x 72位

    电源电压最大值

    1.26V

    工作温度最小值

    0°C

    产品范围

    -

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    Namibia
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:84733020
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.024811