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MT62F512M32D1DS-023 AAT:E
DRAM, AEC-Q100, 移动 LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32位, 4.266 GHz, TFBGA, 315 引脚
已停产
产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT62F512M32D1DS-023 AAT:E
库存编号4659396
技术数据表
DRAM类型移动 LPDDR5X
存储密度16Gbit
记忆配置512M x 32位
时钟频率最大值4.266GHz
IC 外壳 / 封装TFBGA
针脚数315引脚
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
MT62F512M32D1DS-023 AAT:E is an automotive LPDDR5X SDRAM. It has been developed according to ISO 26262:2018 requirements to provide a level of systematic fault coverage that allows its use in systems targeting up to ASIL D compliance.
- 19.2GB/s maximum bandwidth per channel, selectable CKR (WCK:CK = 2:1 or 4:1)
- Frequency range: 1200–5MHz (data rate range per pin: 9600–40 Mb/s per-pin with WCK:CK =4:1)
- Dual x16 channel/die, double-data-rate command/address entry
- Differential command clocks (CK-t/CK-c) for high-speed operation
- 16n-bit or 32n-bit prefetch architecture
- Bank architecture: bank group (BG) mode, and 16-bank (16B) mode supported
- Partial-array self refresh (PASR) and partial-array auto refresh (PAAR) with segment mask
- AEC-Q100, PPAP, ISO 26262 ASIL D compliant development
- 315-ball TFBGA package
- Operating temperature range from –40°C ≤ TC ≤ +105°C
技术规格
DRAM类型
移动 LPDDR5X
记忆配置
512M x 32位
IC 外壳 / 封装
TFBGA
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
16Gbit
时钟频率最大值
4.266GHz
针脚数
315引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001