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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT41J128M16JT-125:K复制
库存编号3577565
技术数据表
DRAM类型DDR3
DRAM密度2Gbit
存储密度2Gbit
DRAM 内存配置128M x 16位
记忆配置128M x 16位
时钟频率最大值800MHz
时钟频率800MHz
封装类型FBGA
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数96引脚
额定电源电压1.5V
芯片安装表面安装
工作温度最小值0°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT41J128M16JT-125:K 是一款 DDR3 SDRAM。该 DDR3 SDRAM 采用双倍数据速率架构以实现高速运行。双倍数据速率架构是一种 8n 预取架构,其接口设计旨在每时钟周期在 I/O 引脚传输两个数据字。 对于 DDR3 SDRAM 而言,单次读或写操作实际上由内部 DRAM 核心处的一次 8n 位宽、四个时钟周期的数据传输,以及 I/O 引脚处八次相应的 n 位宽、半个时钟周期的数据传输组成。DDR3 SDRAM 通过差分时钟(CK 和 CK#)进行工作。 CK 变高与 CK# 变低的交叉点称为 CK 的正沿。控制、命令和地址信号在 CK 的每个正沿被锁存。输入数据在 WRITE 前导码后的第一个 DQS 上升沿被锁存,输出数据在 READ 前导码后的第一个 DQS 上升沿被锁存。
- VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V,1.5V 中心终止推挽式 I/O
- 差分双向数据选通信号,8n位预取架构,8个内部存储银行
- 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终止 (ODT)
- 固定突发长度 (BL) 为 8,突发斩波 (BC) 为 4(通过模式寄存器组 [MRS] 实现)
- 自刷新温度 (SRT)、自动自刷新 (ASR)
- 写平、多功能寄存器、输出驱动器校准
- 128 Meg x 16 配置
- tCK = 1.25ns,CL = 11 速度等级
- 96 球 8mm x 14mm FBGA 封装
- 商用温度范围为 0 至 95°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
DRAM类型
DDR3
存储密度
2Gbit
记忆配置
128M x 16位
时钟频率
800MHz
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.5V
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
DRAM密度
2Gbit
DRAM 内存配置
128M x 16位
时钟频率最大值
800MHz
封装类型
FBGA
针脚数
96引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001079

