MT40A512M16TB-062E IT:R

MT40A512M16TB-062E IT:R 是一款 MT40A512M1 高速动态随机存取存储器，内部配置为 x16 配置的八组 DRAM 和 x4 和 x8 配置的十六组 DRAM。DDR4 SDRAM 采用 8n-prefetch 架构来实现高速运行。8n-prefetch 架构与接口相结合，旨在每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR4 SDRAM 的单次 "读取"或 "写入"操作包括在内部 DRAM 内核进行一次 8n 位宽、四个时钟周期的数据传输，以及在 I/O 引脚进行两次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输。

• 512M16配置下，周期时间（CAS延迟）为tCK= 0.625ns，CL = 22
• 连接性测试、sPPR 和 hPPR 功能
• 可编程数据选通前导码、数据选通前导码训练、命令/地址延迟
• 写平滑、自刷新模式、低功耗自动自刷新
• 温度控制刷新 (TCR)、精细粒度刷新、自刷新
• 最大节能、输出驱动器校准、标称、停泊和动态片上终端
• 数据总线反相 (DBI) 用于数据总线、命令/地址 (CA)
• 数据总线写入循环冗余校验 (CRC)、按 DRAM 地址寻址
• 工作温度为 -40°C 至 95°C（工业用）
• 封装方式为96-ball FBGA