MT40A4G8NEA-062E:F

MT40A4G8NEA-062E:F是一款TwinDie™ 1.2V DDR4 SDRAM。该高速CMOS动态随机存取存储器内部配置为两个16库DDR4 SDRAM器件。尽管双芯片封装内的每个芯片均经过单独测试，但某些TwinDie测试结果可能与单芯片封装内同类芯片的测试结果存在差异。 该DDR4 SDRAM采用双倍数据速率架构实现高速运行。该架构为8n预取架构，其接口设计可在每个时钟周期于I/O焊盘传输两个数据字。 单次读写操作包含：内部DRAM核心执行一次8n位宽、单时钟周期的数据传输，同时I/O焊盘执行八次对应的n位宽、半时钟周期数据传输。

• 128兆 x 8 x 16 库 x 2 列
• 每排配置4组4通道内部库，支持并行操作
• 3200MT/s 数据传输速率
• 0.625ns 时 CL = 22（DDR4-3200）时序 - 周期时间
• VDD = VDDQ = 1.2V (1.14–1.26V)
• 1.2V VDDQ 端接 I/O
• 13.75ns tAA、13.75ns tRCD 及 13.75ns tRP
• 128K A[16:0]行地址与1K A[9:0]列地址
• 78球FBGA封装（7.5mm x 11mm x 1.2mm）芯片版本：F
• 工作温度商业范围为 (0°C ≤ TC ≤ 95°C)