MT40A1G16TB-062E:F

MT40A1G16TB-062E:E 是一款 DDR4 SDRAM。它是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为 x16 配置的八组 DRAM 和 x4 和 x8 配置的十六组 DRAM。DDR4 SDRAM 采用 8n-prefetch 架构来实现高速运行。8n-prefetch 架构与接口相结合，旨在每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR4 SDRAM 的单次 "读取"或 "写入"操作包括在内部 DRAM 内核进行一次 8n 位宽、四个时钟周期的数据传输，以及在 I/O 引脚进行两次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输。

• 片上可调VREFDQ生成
• 1.2V 伪开漏 I/O
• 16组内部存储器（x4, x8）：每组4个存储器，共4组8组内部存储器（x16）：每组4个存储器，共2组
• 可编程数据选通信号前导序列、数据选通信号前导序列训练、支持单DRAM地址定位
• 命令/地址延迟（CAL），多功能寄存器读写功能
• 低功耗自动自刷新(LPASR)、温控刷新(TCR)
• 数据总线反转、命令/地址奇偶校验、数据总线写入循环冗余校验(CRC)
• 符合JEDEC JESD-79-4标准，支持sPPR和hPPR功能
• 1 Gig x 16 配置，96 球 7.5mm x 13.0mm FBGA 封装
• 商用温度范围为 0 至 95°C