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MT29F4G16ABBDAH4-IT:D
闪存, SLC NAND, 4 Gbit, 256M x 16位, 并行口, VFBGA, 63 引脚
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT29F4G16ABBDAH4-IT:D复制
库存编号4242673
技术数据表
闪存类型SLC NAND
存储密度4Gbit
记忆配置256M x 16位
接口并行口
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数63引脚
时钟频率最大值50MHz
存取时间22ns
电源电压最小值1.7V
电源电压最大值1.95V
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围1.7V-1.95V SLC NAND Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
产品概述
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D 是一款 NAND 闪存器件，配备异步数据接口以实现高性能 I/O 操作。该器件采用高度多路复用的 8 位总线 (I/Ox) 传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。 其他信号用于控制硬件写保护并监控器件状态（R/B#）。该硬件接口使器件引脚数量较少，且采用标准引脚排列，不同容量型号的引脚排列保持一致，从而无需重新设计电路板即可实现向更高容量的未来升级。 目标（Target）是通过芯片使能信号访问的存储单元。一个目标包含一个或多个 NAND 闪存芯片。NAND 闪存芯片是能够独立执行命令并报告状态的最小单元。在 ONFI 规范中，NAND 闪存芯片被称为逻辑单元（LUN）。
- 4Gb密度，16位设备宽度
- SLC 级别，1.8V（1.7 至 1.95V）工作电压
- 功能集 D，异步接口
- 单级单元 (SLC) 技术，命令集：ONFI NAND 闪存协议
- 编程页缓存模式、读取页缓存模式、一次性可编程 (OTP) 模式
- 操作完成、通过/失败状态、写保护状态
- 就绪/忙#（R/B#）信号提供了一种检测操作完成的硬件方法
- WP# 信号：对整个设备进行写保护
- 工业工作温度范围为-40°C至+85°C，封装形式为63球VFBGA。
技术规格
闪存类型
SLC NAND
记忆配置
256M x 16位
IC 外壳 / 封装
VFBGA
时钟频率最大值
50MHz
电源电压最小值
1.7V
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
1.7V-1.95V SLC NAND Flash Memories
存储密度
4Gbit
接口
并行口
针脚数
63引脚
存取时间
22ns
电源电压最大值
1.95V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001