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MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G
闪存, SLC NAND, 2 Gbit, 128M x 16位, 并行口, TSOP-I, 48 引脚
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G复制
库存编号4050813
技术数据表
闪存类型SLC NAND
存储密度2Gbit
记忆配置128M x 16位
接口并行口
IC 外壳 / 封装TSOP-I
针脚数48引脚
时钟频率最大值50MHz
存取时间-
电源电压最小值-
电源电压最大值-
额定电源电压3.3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围3.3V Parallel NAND Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
产品概述
MT29F2G16ABAGAWP 是一款 NAND 闪存。该 NAND 闪存器件包含一个用于高性能 I/O 操作的异步数据接口。该器件采用高度多路复用的 8 位总线 (I/Ox) 来传输命令、地址和数据。 有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。该硬件接口打造了引脚数较少的器件，且具有标准引脚排列，不同容量版本的引脚排列保持一致，从而支持未来升级至更高容量，无需重新设计电路板。 目标（Target）是通过芯片使能信号访问的存储单元。一个目标包含一个或多个 NAND 闪存芯片。NAND 闪存芯片是能够独立执行命令并报告状态的最小单元。在 ONFI 规范中，NAND 闪存芯片被称为逻辑单元（LUN）。每个芯片使能信号至少对应一个 NAND 闪存芯片。
- 单级单元 (SLC) 技术、异步 I/O 性能、阵列性能
- 擦除块时间为 2 ms（典型值），命令集采用 ONFI NAND 闪存协议
- 高级命令集、一次性可编程（OTP）模式、默认禁用内部ECC（并行）
- 操作状态字节为检测操作完成提供软件方法
- 上电后第一个命令必须为 RESET (FFh)，质量和可靠性
- 上电后设备初始化的替代方法（请联系工厂）
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据移动操作
- 2Gb 密度，16 位设备宽度，SLC 级别
- 3.3V（2.7–3.6V）工作电压，异步接口
- 48 引脚 TSOP 1 型、CPL 封装，汽车级工作温度范围为 -40°C 至 105°C
技术规格
闪存类型
SLC NAND
记忆配置
128M x 16位
IC 外壳 / 封装
TSOP-I
时钟频率最大值
50MHz
电源电压最小值
-
额定电源电压
3.3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3.3V Parallel NAND Flash Memories
存储密度
2Gbit
接口
并行口
针脚数
48引脚
存取时间
-
电源电压最大值
-
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003301