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VN2110K1-G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY5.130 | CNY5.13 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.130 (CNY5.7969) |
| 25+ | CNY5.030 (CNY5.6839) |
| 100+ | CNY4.930 (CNY5.5709) |
| 3000+ | CNY4.830 (CNY5.4579) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002