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VN2106N3-G

功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, 通孔

MICROCHIP
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MICROCHIP VN2106N3-G
制造商MICROCHIP
制造商产品编号VN2106N3-G
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  • MICROCHIP
    制造商MICROCHIP
    制造商产品编号VN2106N3-G
    库存编号2851591
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds60V
    电流, Id 连续300mA
    漏源接通状态电阻3ohm
    晶体管封装类型TO-92
    晶体管安装通孔
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值2.4V
    功率耗散1W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    300mA

    晶体管封装类型

    TO-92

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    1W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (04-Feb-2026)

    漏源电压, Vds

    60V

    漏源接通状态电阻

    3ohm

    晶体管安装

    通孔

    阈值栅源电压最大值

    2.4V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    -

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Thailand
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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    产品合规证书

    重量（千克）：.0002