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IXTY1R6N100D2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1 kV, 1.6 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY38.460 (CNY43.4598) |
| 10+ | CNY20.260 (CNY22.8938) |
| 100+ | CNY18.510 (CNY20.9163) |
| 500+ | CNY16.760 (CNY18.9388) |
| 1000+ | CNY16.430 (CNY18.5659) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY38.46 (CNY43.46 含税)
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产品概述
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.6A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
0V
功率耗散
100W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
1kV
漏源接通状态电阻
0.01ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001