打印页面
IXTP32P20T
功率场效应管, MOSFET, P通道, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
389 有货
需要更多？
389 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY76.620 (CNY86.5806) |
| 5+ | CNY59.540 (CNY67.2802) |
| 10+ | CNY44.420 (CNY50.1946) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY76.62 (CNY86.58 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTP32P20T
库存编号3930252
产品范围TrenchP Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续32A
漏源接通状态电阻0.13ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散300W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchP Series
合规-
产品概述
P-channel enhancement mode avalanche rated TrenchP™ power MOSFET suitable for use in high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- Extended FBSOA
- Fast intrinsic diode
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
32A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.13ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchP Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000476