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IXTH6N50D2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, 通孔
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|---|---|
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| 5+ | CNY63.590 (CNY71.8567) |
| 10+ | CNY59.060 (CNY66.7378) |
| 50+ | CNY55.970 (CNY63.2461) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTH6N50D2
库存编号3930194
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds500V
电流, Id 连续6A
漏源接通状态电阻0.55ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压0V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散300W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
产品概述
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
0V
功率耗散
300W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.55ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.007711