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IXTH6N120.
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 6A, TO-247 ADN
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY142.140 (CNY160.6182) |
| 5+ | CNY115.080 (CNY130.0404) |
| 10+ | CNY88.020 (CNY99.4626) |
| 50+ | CNY83.150 (CNY93.9595) |
| 100+ | CNY78.280 (CNY88.4564) |
| 250+ | CNY76.720 (CNY86.6936) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTH6N120.复制
库存编号3949095
技术数据表
通道类型N Channel
漏源接通状态电阻2.6ohm
晶体管安装Through Hole
阈值栅源电压最大值5V
产品范围-
合规-
技术规格
通道类型
N Channel
晶体管安装
Through Hole
产品范围
-
漏源接通状态电阻
2.6ohm
阈值栅源电压最大值
5V
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008411