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IXTH16N20D2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, 通孔
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| 5+ | CNY151.360 (CNY171.0368) |
| 10+ | CNY121.360 (CNY137.1368) |
| 50+ | CNY118.940 (CNY134.4022) |
| 100+ | CNY117.630 (CNY132.9219) |
| 250+ | CNY117.620 (CNY132.9106) |
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产品概述
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
16A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
0V
功率耗散
695W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.08ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.007938