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IXTH160N10T.
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 160A, TO-247E
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 5+ | CNY63.580 (CNY71.8454) |
| 10+ | CNY51.630 (CNY58.3419) |
| 50+ | CNY47.070 (CNY53.1891) |
| 100+ | CNY42.500 (CNY48.025) |
| 250+ | CNY41.650 (CNY47.0645) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTH160N10T.复制
制造商标准货期23 周
库存编号3949093
技术数据表
漏源电压, Vds100V
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装Through Hole
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
技术规格
漏源电压, Vds
100V
晶体管安装
Through Hole
阈值栅源电压最大值
4.5V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.009828