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IXTH120P065T.
场效应管, MOSFET, P沟道, 65V, 120A, TO-247
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY82.840 (CNY93.6092) |
| 5+ | CNY66.090 (CNY74.6817) |
| 10+ | CNY49.340 (CNY55.7542) |
| 50+ | CNY46.150 (CNY52.1495) |
| 100+ | CNY42.950 (CNY48.5335) |
| 250+ | CNY42.100 (CNY47.573) |
包装规格：每个
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTH120P065T.复制
库存编号3949090
技术数据表
通道类型P Channel
漏源电压, Vds65V
漏源接通状态电阻0.01ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装Through Hole
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散298W
工作温度最高值150°C
合规-
技术规格
通道类型
P Channel
漏源接通状态电阻
0.01ohm
晶体管安装
Through Hole
功率耗散
298W
合规
-
漏源电压, Vds
65V
晶体管封装类型
TO-247
阈值栅源电压最大值
4V
工作温度最高值
150°C
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.011304