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IXTH110N10L2.
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 110A, TO-247E
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| 10+ | CNY140.010 (CNY158.2113) |
| 50+ | CNY131.180 (CNY148.2334) |
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| 250+ | CNY119.910 (CNY135.4983) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTH110N10L2.复制
制造商标准货期47 周
库存编号3771788
技术数据表
通道类型N Channel
电流, Id 连续110A
晶体管安装Through Hole
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散600W
技术规格
通道类型
N Channel
晶体管安装
Through Hole
阈值栅源电压最大值
4.5V
电流, Id 连续
110A
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
600W
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008074