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|---|---|
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| 5+ | CNY117.520 (CNY132.7976) |
| 10+ | CNY94.530 (CNY106.8189) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTH02N250
库存编号3930077
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds2.5kV
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻450ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散83W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
N 沟道增强型快速本征二极管适用于高压电源、电容器放电应用和脉冲电路应用。
- 高压功率 MOSFET
- 封装电感低
- 易于安装
- 节省空间
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
2.5kV
漏源接通状态电阻
450ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.004536

