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IXTA1R6N100D2HV
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, 表面安装
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| 10+ | CNY40.740 (CNY46.0362) |
| 100+ | CNY32.670 (CNY36.9171) |
| 500+ | CNY29.020 (CNY32.7926) |
| 1000+ | CNY25.740 (CNY29.0862) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTA1R6N100D2HV复制
库存编号3930414
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds1kV
电流, Id 连续1.6A
漏源接通状态电阻10ohm
晶体管封装类型TO-263HV
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压0V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散100W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
N-channel high voltage depletion mode power MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- High voltage package
- High blocking voltage
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.6A
晶体管封装类型
TO-263HV
Rds(on)测试电压
0V
功率耗散
100W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
1kV
漏源接通状态电阻
10ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001