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IXTA1N200P3HV
功率场效应管, MOSFET, N通道, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, 表面安装
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| 10+ | CNY64.270 (CNY72.6251) |
| 50+ | CNY58.100 (CNY65.653) |
| 100+ | CNY51.930 (CNY58.6809) |
| 250+ | CNY50.900 (CNY57.517) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
TO-263HV
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
2kV
漏源接通状态电阻
40ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.00205