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| 1+ | CNY536.740 (CNY606.5162) |
| 5+ | CNY490.870 (CNY554.6831) |
| 10+ | CNY445.000 (CNY502.850) |
| 50+ | CNY436.100 (CNY492.793) |
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最低: 1
多件: 1
CNY536.74 (CNY606.52 含税)
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产品概述
1500V MOS gated thyristor w/anti-parallel diode suitable for use in capacitive discharge circuits, ignition circuits, solid state surge protection applications.
- Very high voltage package
- Anti-parallel diode
- Very high current capability
- High power density
- Low gate drive requirement
技术规格
重复关闭状态的峰值电压
1.5kV
平均导通电流
-
晶闸管封装类型
TO-247
非重复性浪涌峰值电流
-
栅极触发电压最大值
-
晶闸管安装
通孔
栅极触发电流最大值
-
通态方均根电流
-
针脚数
3引脚
最大保持电流
200A
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001
