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IXFX230N20T.
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 230A, +247
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|---|---|
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| 5+ | CNY199.250 (CNY225.1525) |
| 10+ | CNY160.730 (CNY181.6249) |
| 50+ | CNY157.520 (CNY177.9976) |
| 100+ | CNY154.310 (CNY174.3703) |
| 250+ | CNY151.090 (CNY170.7317) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFX230N20T.复制
制造商标准货期30 周
库存编号3771250
技术数据表
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续230A
漏源接通状态电阻0.0075ohm
晶体管封装类型PLUS247
晶体管安装Through Hole
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
工作温度最高值175°C
技术规格
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.0075ohm
晶体管安装
Through Hole
阈值栅源电压最大值
5V
电流, Id 连续
230A
晶体管封装类型
PLUS247
Rds(on)测试电压
10V
工作温度最高值
175°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.010433