打印页面
IXFX120N65X2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 120 A, 0.024 ohm, PLUS247, 通孔
13 有货
需要更多？
13 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY152.500 (CNY172.325) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY152.50 (CNY172.32 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFX120N65X2
库存编号3930114
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续120A
漏源接通状态电阻0.024ohm
晶体管封装类型PLUS247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散1.25kW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, PFC circuits, robotics and servo controls application.
- Low QG
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
PLUS247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.25kW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.024ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008648