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IXFT220N20X3HV
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 220 A, 5200 µohm, TO-268HV, 表面安装
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| 10+ | CNY172.900 (CNY195.377) |
| 50+ | CNY152.580 (CNY172.4154) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFT220N20X3HV复制
库存编号3930487
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续220A
漏源接通状态电阻5200µohm
晶体管封装类型TO-268HV
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散890W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围X3-Class HiPerFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated X3-Class HiPerFET™ power MOSFET suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, PFC circuits, robotics and servo controls application.
- Low RDS(ON) and QG
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
220A
晶体管封装类型
TO-268HV
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
890W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
5200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
X3-Class HiPerFET Series
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.012761