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IXFQ60N50P3.
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 60A, TO-3P
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY100.960 (CNY114.0848) |
| 5+ | CNY80.630 (CNY91.1119) |
| 10+ | CNY60.300 (CNY68.139) |
| 50+ | CNY57.030 (CNY64.4439) |
| 100+ | CNY53.760 (CNY60.7488) |
| 250+ | CNY52.690 (CNY59.5397) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFQ60N50P3.复制
制造商标准货期14 周
库存编号3949064
技术数据表
漏源电压, Vds500V
晶体管封装类型TO-3P
工作温度最高值150°C
合规-
技术规格
漏源电压, Vds
500V
工作温度最高值
150°C
晶体管封装类型
TO-3P
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.007046