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IXFK520N075T2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 75 V, 520 A, 2200 µohm, TO-264, 通孔
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|---|---|
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| 5+ | CNY131.760 (CNY148.8888) |
| 10+ | CNY101.730 (CNY114.9549) |
| 50+ | CNY97.730 (CNY110.4349) |
| 100+ | CNY93.730 (CNY105.9149) |
| 250+ | CNY91.860 (CNY103.8018) |
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产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in DC-DC converters and Off-line UPS, primary-side switch, high speed power switching applications.
- TrenchT2™ GigaMOS™ HiperFET™ power MOSFET
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
520A
晶体管封装类型
TO-264
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.25kW
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
2200µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.020085