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IXFA4N100Q
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1 kV, 4 A, 3 ohm, TO-263AA, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY85.050 (CNY96.1065) |
| 5+ | CNY69.140 (CNY78.1282) |
| 10+ | CNY53.230 (CNY60.1499) |
| 50+ | CNY50.570 (CNY57.1441) |
| 100+ | CNY47.900 (CNY54.127) |
| 250+ | CNY46.950 (CNY53.0535) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY85.05 (CNY96.11 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
TO-263AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
1kV
漏源接通状态电阻
3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
Q Class HiPerFET Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002223