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| 10+ | CNY64.340 (CNY72.7042) |
| 25+ | CNY52.240 (CNY59.0312) |
| 50+ | CNY50.990 (CNY57.6187) |
| 100+ | CNY49.730 (CNY56.1949) |
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最低: 1
多件: 1
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产品概述
低侧超快MOSFET驱动器,特别适合驱动最新的IXYS功率MOSFET和IGBT。它还适用于开关模式电源、电机控制、DC-DC转换器、D类开关放大器和脉冲变压器驱动器。
- 高工作电压能力:35V
- 延伸温度范围: -40°C到+125°C
- 欠压锁定保护
- 快速上升和下降时间:<lt/> 20 ns
- 低传播延迟时间
- 低功耗设计:仅需10µA供电电流
- 低输出阻抗
- 5 引脚 TO-220 封装和 9V UVLO
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
5引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
30A
电源电压最小值
9V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
46ns
产品范围
IXD_630系列
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
TO-263 (D2PAK)
输入类型
逻辑器件
灌电流
30A
电源电压最大值
35V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
46ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.003088
