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IXDN609SIATR
栅极驱动器, 1 放大器, 低压侧, MOSFET, 8 引脚, SOIC
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY14.250 | CNY14.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.250 (CNY16.1025) |
| 10+ | CNY9.600 (CNY10.848) |
| 50+ | CNY9.070 (CNY10.2491) |
| 100+ | CNY8.540 (CNY9.6502) |
| 250+ | CNY8.240 (CNY9.3112) |
品項附註
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXDN609SIATR
库存编号
复卷3930125RL
切割卷带3930125
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流9A
灌电流9A
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值35V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟40ns
输出延迟42ns
产品范围-
合规-
产品概述
IXDN609SIATR is a high-speed gate driver especially well suited for driving the latest IXYS MOSFETs and IGBTs.
- Non-inverting driver
- 9A peak source/sink drive current
- Wide operating voltage range from 4.5V to 35V
- Extended operating temperature range -40°C to +125°C
- Logic input withstands negative swing of up to 5V
- Matched rise and fall times
- Low propagation delay time
- Low 10µA supply current
- Low output impedance
- 8-pin SOIC package
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
9A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
40ns
产品范围
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
9A
电源电压最大值
35V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
42ns
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000267