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IXDN602SIA
栅极驱动器, 2 放大器, 低压侧, MOSFET, 8 引脚, SOIC
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|---|---|
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| 10+ | CNY7.780 (CNY8.7914) |
| 50+ | CNY6.990 (CNY7.8987) |
| 100+ | CNY6.190 (CNY6.9947) |
| 250+ | CNY5.900 (CNY6.667) |
| 500+ | CNY5.880 (CNY6.6444) |
| 1000+ | CNY5.860 (CNY6.6218) |
| 2500+ | CNY5.830 (CNY6.5879) |
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最低: 1
多件: 1
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品項附註
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产品概述
双通道高速低侧超快MOSFET驱动器，特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。适用于高效功率MOSFET和IGBT开关、开关模式电源、电机控制、DC-DC转换器、D类开关放大器以及脉冲变压器驱动器应用。
- 2A 峰值源极/漏极驱动电流
- 延伸温度范围: -40°C到+125°C
- 逻辑输入可承受高达 5V 的负摆幅
- 可将多个输出端并联以获得更高的驱动电流
- 上升和下降时间匹配
- 低传播延迟时间
- 低功耗设计：仅需10µA供电电流
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
2A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
35ns
产品范围
IXD_602系列
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
逻辑器件
灌电流
2A
电源电压最大值
35V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
38ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000212