打印页面
IXDD630MYI
栅极驱动器, 1 放大器, 低压侧, MOSFET, 5 引脚, TO-263 (D2PAK)
4 有货
246 您现在可以预订货品了
4 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY77.890 (CNY88.0157) |
| 10+ | CNY60.840 (CNY68.7492) |
| 25+ | CNY53.920 (CNY60.9296) |
| 50+ | CNY52.890 (CNY59.7657) |
| 100+ | CNY51.860 (CNY58.6018) |
| 250+ | CNY49.340 (CNY55.7542) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY77.89 (CNY88.02 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
高速低侧超快MOSFET驱动器，特别适合驱动最新的IXYS功率MOSFET和IGBT。适用于高效功率MOSFET和IGBT开关、开关模式电源、电机控制、DC-DC转换器、D类开关放大器以及脉冲变压器驱动器等应用。
- 30A 峰值源极/漏极驱动电流
- 配置为带使能引脚的非反相驱动器
- 延伸温度范围: -40°C到+125°C
- 欠压锁定保护
- 快速上升和下降时间：<lt/> 20 ns
- 低传播延迟时间
- 低功耗设计：仅需10µA供电电流
- 低输出阻抗
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
5引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
30A
电源电压最小值
9V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
46ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
TO-263 (D2PAK)
输入类型
逻辑器件
灌电流
30A
电源电压最大值
35V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
46ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361