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IX4352NEAU
栅极驱动器, 1 放大器, 非隔离, 低压侧, IGBT, SiC MOSFET, 16 引脚, NSOIC-EP
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY30.540 (CNY34.5102) |
| 10+ | CNY22.710 (CNY25.6623) |
| 25+ | CNY20.810 (CNY23.5153) |
| 50+ | CNY19.750 (CNY22.3175) |
| 100+ | CNY18.680 (CNY21.1084) |
| 250+ | CNY17.650 (CNY19.9445) |
| 500+ | CNY17.630 (CNY19.9219) |
| 1000+ | CNY17.590 (CNY19.8767) |
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多件: 1
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IX4352NEAU复制
库存编号4848987
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型非隔离
驱动配置低压侧
电源开关类型IGBT, SiC MOSFET
针脚数16引脚
IC 外壳 / 封装NSOIC-EP
芯片安装表面安装
输入类型CMOS, TTL
拉电流9A
灌电流9A
电源电压最小值13V
电源电压最大值25V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟70ns
输出延迟65ns
产品范围-
合规AEC-Q100
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
16引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
9A
电源电压最小值
13V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
70ns
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
栅极驱动器类型
非隔离
电源开关类型
IGBT, SiC MOSFET
IC 外壳 / 封装
NSOIC-EP
输入类型
CMOS, TTL
灌电流
9A
电源电压最大值
25V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
65ns
合规
AEC-Q100
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423919
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00088