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IXFH50N60P3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, 通孔
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产品概述
The IXFH50N60P3 is a 600V N-channel Enhancement Mode Polar3™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Avalanche rated
- Low inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space-savings
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.04W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.16ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.226796