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IXDN609SI
MOSFET驱动器, 低压侧, AEC-Q100, 9 A输出, 4.5 V至35 V电源, HSOIC-8, -40°C至125°C
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| 10+ | CNY18.610 (CNY21.0293) |
| 25+ | CNY17.040 (CNY19.2552) |
| 50+ | CNY15.850 (CNY17.9105) |
| 100+ | CNY14.650 (CNY16.5545) |
| 250+ | CNY14.050 (CNY15.8765) |
| 500+ | CNY13.910 (CNY15.7183) |
| 1000+ | CNY13.700 (CNY15.481) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
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技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
9A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
40ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
HSOIC
输入类型
非反向
灌电流
9A
电源电压最大值
35V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
42ns
合规
AEC-Q100
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000318