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IXTT1N300P3HV
场效应管, MOSFET, N沟道, 3KV, 1A, TO-268高电压
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|---|---|
| 1+ | CNY383.860 (CNY433.7618) |
| 5+ | CNY355.620 (CNY401.8506) |
| 10+ | CNY327.380 (CNY369.9394) |
| 50+ | CNY298.720 (CNY337.5536) |
| 100+ | CNY270.050 (CNY305.1565) |
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品項附註
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技术规格
电流, Id 连续
1A
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
4V
漏源接通状态电阻
50ohm
Rds(on)测试电压
10V
工作温度最高值
150°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.007744