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IXTT1N250HV
场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5KV, 1.5A, TO-268
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| 10+ | CNY326.920 (CNY369.4196) |
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| 100+ | CNY313.850 (CNY354.6505) |
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产品信息
制造商IXYS RF
制造商产品编号IXTT1N250HV复制
制造商标准货期38 周
库存编号3949111
技术数据表
通道类型N Channel
漏源接通状态电阻40ohm
晶体管封装类型TO-268 (D3PAK)
晶体管安装Surface Mount
功率耗散250W
合规-
技术规格
通道类型
N Channel
晶体管封装类型
TO-268 (D3PAK)
功率耗散
250W
漏源接通状态电阻
40ohm
晶体管安装
Surface Mount
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.007777