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| 100+ | CNY10.820 (CNY12.2266) |
| 500+ | CNY8.770 (CNY9.9101) |
| 1000+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 5000+ | CNY7.630 (CNY8.6219) |
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最低: 1
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产品概述
The SPP08N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features ultra low gate charge. It is designed for high DC bulk voltage and switching Applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Field proven CoolMOS™ quality
- High reliability
- Outstanding performance
- High efficiency and power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
0.56ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
SPP08N80C3XKSA1 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.003184
