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SPB20N60C3ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY35.420 (CNY40.0246) |
| 10+ | CNY23.380 (CNY26.4194) |
| 50+ | CNY16.530 (CNY18.6789) |
| 200+ | CNY15.360 (CNY17.3568) |
| 500+ | CNY14.180 (CNY16.0234) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品概述
SPB20N60C3是一款650V CoolMOS™ N沟道功率MOSFET, 低栅极电流。适用于服务器, 电信, PC电源和适配器等应用。
- 新型高压技术
- 高dV/dt性能
- 高峰值电流能力
- 目标应用符合JEDEC标准
- 良好的跨导
- 低特定导通电阻
- 输出电容的能量存储非常低 (Eoss) (400V)
- 久经验证的CoolMOS™质量
- 周期性雪崩评测
- 高效率, 高功率密度
- 出色的性能
- 高可靠性
- 使用方便
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20.7A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
208W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.19ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002