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SPB18P06PGATMA1
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 1+ | CNY13.570 (CNY15.3341) |
| 10+ | CNY8.620 (CNY9.7406) |
| 100+ | CNY5.740 (CNY6.4862) |
| 500+ | CNY4.700 (CNY5.311) |
| 1000+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
| 5000+ | CNY3.670 (CNY4.1471) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号SPB18P06PGATMA1
库存编号2212884
也称为SPB18P06P G, SP000102181
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续18.7A
漏源接通状态电阻0.13ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散81.1W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The SPB18P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- dV/dt Rated
- Halogen-free, Green device
- Qualified according to AEC-Q101
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
18.7A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
81.1W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.13ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85044090
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00181