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SPB17N80C3ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY35.120 | CNY35.12 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY35.120 (CNY39.6856) |
| 10+ | CNY23.240 (CNY26.2612) |
| 50+ | CNY18.200 (CNY20.566) |
| 200+ | CNY17.220 (CNY19.4586) |
| 500+ | CNY16.230 (CNY18.3399) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号SPB17N80C3ATMA1
库存编号
复卷1664102RL
切割卷带1664102
也称为SPB17N80C3, SP000013370
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续17A
漏源接通状态电阻0.29ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散227W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The SPB17N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is designed for high DC bulk voltage and switching applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
17A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
227W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
0.29ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SPB17N80C3ATMA1 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143