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SPA11N65C3XKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, 通孔
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产品概述
The SPA11N65C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for PC Power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- Periodic avalanche rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Improved transconductance
- Low specific ON-state resistance
- Field proven CoolMOS™ quality
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
11A
晶体管封装类型
TO-220F
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
33W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.38ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0018