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SPA07N60C3XKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-220F, 通孔
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产品概述
SPA07N60C3 是一款650V CoolMOS™ N沟道功率MOSFET, 低栅极电荷。适用于服务器, 电信, PC电源和适配器等应用。
- 新型高压技术
- 高dV/dt性能
- 高峰值电流能力
- 目标应用符合JEDEC标准
- 低电容
- 完全隔离封装
- 低特定导通电阻
- 久经验证的CoolMOS™质量
- 输出电容的能量存储非常低 (Eoss) (400V)
- 高效率, 高功率密度
- 出色的性能
- 高可靠性
- 使用方便
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7.3A
晶体管封装类型
TO-220F
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
32W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.6ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0018