打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。

379 有货
需要更多?
379 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.660 (CNY22.2158) |
| 10+ | CNY12.720 (CNY14.3736) |
| 100+ | CNY9.070 (CNY10.2491) |
| 500+ | CNY7.580 (CNY8.5654) |
| 1000+ | CNY6.570 (CNY7.4241) |
| 5000+ | CNY6.440 (CNY7.2772) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY19.66 (CNY22.22 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
SPA06N80C3 是一款800V CoolMOS™ N沟道功率MOSFET, 低栅极电荷。适用于太阳能, PC 电源和适配器等应用。
- 新型高压技术
- 高dV/dt性能
- 高峰值电流能力
- 目标应用符合JEDEC标准
- 低电容
- 完全隔离封装
- 低特定导通电阻
- 久经验证的CoolMOS™质量
- 输出电容的能量存储非常低 (Eoss) (400V)
- 高效率, 高功率密度
- 出色的性能
- 高可靠性
- 使用方便
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
TO-220F
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
39W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
0.9ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0018
