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S29GL512T10DHI010
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, FBGA, 64 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 10+ | CNY107.420 (CNY121.3846) |
| 25+ | CNY104.050 (CNY117.5765) |
| 50+ | CNY101.600 (CNY114.808) |
| 100+ | CNY99.070 (CNY111.9491) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S29GL512T10DHI010复制
库存编号2768055
也称为SP005670861, S29GL512T10DHI010
技术数据表
闪存类型并行NOR
存储密度512Mbit
记忆配置64M x 8位
接口CFI, 并行
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数64引脚
时钟频率最大值-
存取时间100ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Parallel NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
闪存类型
并行NOR
记忆配置
64M x 8位
IC 外壳 / 封装
FBGA
时钟频率最大值
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
512Mbit
接口
CFI, 并行
针脚数
64引脚
存取时间
100ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001755