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S29GL256P11TFI010
闪存, 或非, 并行NOR, 256 Mbit, 32M x 8位 / 16M x 16位, 并行口, TSOP, 56 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S29GL256P11TFI010
库存编号1791269
也称为SP005668345, S29GL256P11TFI010
技术数据表
闪存类型并行NOR
存储密度256Mbit
接口并行口
IC 外壳 / 封装TSOP
针脚数56引脚
时钟频率最大值-
存取时间110ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Parallel NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
S29GL256P11TFI010 的替代之选
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产品概述
S29GL256P11TFI010是一款采用90nm MirrorBit®工艺技术制造的256MB页面模式闪存。该器件的快速页面访问时间为110ns，相应的随机访问时间最快为90ns。它有一个写缓冲器，允许在一次操作中最多对32个字/64个字节进行编程，从而使有效编程时间比标准编程算法更快。这使得该器件成为当今要求更高密度、更好性能和更低能耗的电子嵌入式应用的理想选择。
- 最高地址部分受保护
- 多功能的I/O™控制
- 安全硅扇区域 - 可以在工厂或由客户进行编程和锁定
- 每扇区典型的100000次擦除周期
- 数据保留20年(典型值)
- 暂停与恢复命令, 用于编程与擦除操作
- 写入操作状态位指示编程和擦除操作完成情况
- 解锁旁路程序命令 - 减少编程时间
- 支持CFI
- 高级扇区保护的持久性和密码方式
- WP#/ACC输入 - 保护第一个或最后一个扇区，与扇区保护设置无关
- 加快编程时间，在系统生产过程中提高产量
- 硬件复位输入重置设备
- 就绪/忙碌#输出检测程序或擦除周期的完成情况
技术规格
闪存类型
并行NOR
记忆配置
32M x 8位 / 16M x 16位
IC 外壳 / 封装
TSOP
时钟频率最大值
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
存储密度
256Mbit
接口
并行口
针脚数
56引脚
存取时间
110ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00649